文部科学省　ナノテクノロジー総合支援プロジェクト　研究成果報告/エレクトロニクス、情報ストレージ 2005AIndex1

1 エレクトロニクス・情報ストレージ

【ULSI技術】

1.1　ゲート絶縁膜

超熱原子・分子線により室温処理したシリコン酸窒化膜の表面解析	2,438KB
田川　雅人　　　　　　　神戸大学　工学部

軟X線光電子分光による4H-SiC(000－1)面上酸化膜の評価	1,783KB
服部　健雄　　　　　　　武蔵工業大学　工学部

軟X線吸収発光分光法による酸窒化膜/Si界面電子状態のサイト選択的観測	1,481KB
山下　良之　　　　　　　東京大学　物性研究所

硬X線光電子分光法によるMIS構造のバンドアライメント評価	1,754KB
吉木　昌彦　　　　　　　株式会社東芝

硬X線光電子分光による　　　　　　　　　　　金属ゲート/高誘電率ゲート絶縁膜/シリコン多層構造の深さ方向分析	1,949KB
財満　鎭明　　　　　　　名古屋大学大学院　工学研究科

リアルタイムXPSによるNiAl表面の酸化過程における水素ビーム照射効果の解明	2,862KB
福谷　克之　　　　　　　東京大学　生産技術研究所

1.2　トンネル絶縁膜

高エネルギーX線光電子分光によるトンネル膜向け酸窒化膜構造の評価	1,425KB
劉　紫園　　　　　　　　NECエレクトロニクス株式会社

1.3　歪シリコン技術

微小領域逆格子マッピングによる歪Si/SiGe/Siヘテロ構造の局所的歪揺らぎの検出	1,603KB
酒井　朗　　　　　　　　名古屋大学大学院　工学研究科

1.4　強誘電体メモリ薄膜

光電子分光とX線吸収分光による　　　　　　　　　　　ペロブスカイト型Ti酸化物薄膜の強誘電性の安定性の研究	1,801KB
林　元華　　　　　　　　東京大学大学院　新領域創成科学研究科

1.5　配線、ナノワイヤ、ナノドット等

ナノサイズアルミニウム配線のエレクトロマイグレーション誘起ひずみのアスペクト依存性	1,233KB
英　崇夫　　　　　　　　徳島大学　工学部

1.6　酸化物エレクトロニクス材料

ナノスケールでキャリア制御されたSrTiO₃の発光機構の解明	1,278KB
寺嶋　孝仁　　　　　　　京都大学　化学研究所

SiTiO₃/SrRuO₃超格子の内殻磁気円二色性測定による界面磁性測定	1,277KB
組頭　広志　　　　　　　東京大学大学院　工学系研究科

【化合物半導体技術】

1.7　半導体レーザ

In蛍光X線を用いたGaInN量子井戸の結晶評価	2,283KB
宮嶋　孝夫　　　　　　　ソニー株式会社

【磁気記録技術】

1.8　記録媒体、磁性膜

磁気記録媒体用FePtナノパーティクルのXMCD測定	1,176KB
淡路　直樹　　　　　　　株式会社　富士通研究所

磁気ヘッド用FeCo/Pd超格子膜のXMCD測定	1,029KB
淡路　直樹　　　　　　　株式会社　富士通研究所

Mn₃Ir/Co-Fe積層膜の巨大交換磁気異方性と反強磁性スピンの磁化過程との相関	1,197KB
角田　匡清　　　　　　　東北大学大学院　工学研究料

次世代磁気記録メディアPtFe合金薄膜のフォノン	1,876KB
角田　頼彦　　　　　　　早稲田大学　理工学部

硬X線磁気円二色性分光測定による　　　　　　　　　　　　光磁気記録材料Co_xTb_100-xアモルファス薄膜のスペリ磁性の研究	1,547KB
安居院　あかね　　　　　日本原子力研究所

強磁性及び反強磁性薄膜とNiO界面におけるX線光電子顕微鏡による磁区ドメイン観察	1,457KB
奥田　太一　　　　　　　東京大学　物性研究所

1.9　スピンエレクトロニクスなど新規磁性材料

マンガン分子ナノ磁石のMnK-吸収端X線磁気円二色性の研究	1,808KB
Subías-Peruga,Garcia　 CSIC Universidad de Zaragona

¹¹⁹Sｎ核共鳴散乱法を用いた金属ナノ薄膜における局所電子スピン分極の検出	1,513KB
壬生　攻　　　　　　　　京都大学　低温物質科学研究センター

Bulk ESCA and Valence Band measurements of Ge-Sb-Te based optical Memory Alloys	1,689KB
Fons, Paul　　　　　　　　産業技術総合研究所

光電子顕微鏡によるマンガン酸化物薄膜の相分離：電子・磁気状態のドメイン観察	2,457KB
組頭　広志　　　　　　　東京大学大学院　工学系研究科

【光記録技術】

1.10　相変化材料

ＤＶＤディスク薄膜材料の高分解能硬X線光電子分光	1,800KB
松永　利之　　　　　　　株式会社　松下テクノリサーチ

XAFS study of structural changes under hydrostatic pressure in 　　　　　　　　　　　　 Ge-Sb-Te Alloy used in near-field recording with nanometer size marks	1,424KB
Kolobov, Alexander　　産業技術総合研究所

Detection of Ge XAFS in Ge-Sb-Te optical memory alloys 　　　　　　　　　　　　 using a high-resolution fluorescence analyzer system	1,936KB
Fons，Paul　　　　　　　産業技術総合研究所

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研究分野別　目次
支援テーマ別　目次

1.エレクトロニクス
　情報ストレージ

2.新規物質、表面・ナノ
　結晶・ナノサイズ効果

3.エネルギー材料

4.環境関連物質評価

5.基盤技術開発

研究分野別 目次 支援テーマ別 目次

1.エレクトロニクス 情報ストレージ

2.新規物質、表面・ナノ 結晶・ナノサイズ効果