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2010年後期実施課題2010B一覧:一般研究課題(その10)

S/N 1~50 51~100 101~150 151~200 201~250 251~300 301~350 351~400 401~450 451~461

問い合わせ先:利用業務部 TEL 0791-58-0961 E-mail: sp8jasri@spring8.or.jp

成果専有課題は「公開用課題名」を表示

S/N 課題番号 実験課題名 実験責任者 実施時所属 国名 所属分類 研究分野 実施
シフト
ビームライン 専有
/非専有
451 2010B1915 AlGaN/GaNヘテロ構造のバンド曲がり分析 高橋 直子 (株)豊田中央研究所 日本 産業界 産業利用 6 BL46XU 専有
452 2010B1916 理想電極界面を用いたリチウムイオン二次電池電極の表面構造変化検出による反応機構解明 阿部 真知子 トヨタ自動車(株) 日本 産業界 物質科学・材料科学 6 BL46XU 専有
453 2010B1917 硬X線光電子分光法を用いた酸化ケイ素膜の状態分析 伊藤 博人 コニカミノルタテクノロジーセンター(株) 日本 産業界 産業利用 1 BL46XU 専有
454 2010B1918 非晶質薄膜の広角散乱 松井 高史 富士フイルム(株) 日本 産業界 産業利用 6 BL46XU 専有
455 2010B1425 角度分解型広角対物レンズを用いた深さ分析 池永 英司 (財)高輝度光科学研究センター 日本 国公立研究機関等 物質科学・材料科学 3 BL47XU 非専有
456 2010B1431 硬X線角度分解光電子分光によるbi-layer high-kゲートスタック構造の深さ方向プロファイリング 豊田 智史 東京大学 日本 大学等教育機関 物質科学・材料科学 6 BL47XU 非専有
457 2010B1531 「はやぶさ」による小惑星リターンサンプルの初期分析:サンプルの3次元構造と初期分析フローにおける下流破壊分析への応用 土’山 明 大阪大学 日本 大学等教育機関 地球・惑星科学 15 BL47XU 非専有
458 2010B1648 硬X線光電子分光法による半導体材料の解析 佐藤 暢高 東芝ナノアナリシス(株) 日本 産業界 産業利用 6 BL47XU 専有
459 2010B1649 硬X線光電子分光法による薄膜材料の内部・界面の状態解析 蜂谷 正樹 富士フイルム(株) 日本 産業界 産業利用 6 BL47XU 専有
460 2010B1656 希土類化合物の硬X線光電子分光 木本 博行 トヨタ自動車(株) 日本 産業界 物質科学・材料科学 9 BL47XU 専有
461 2010B1659 様々な透明導電性酸化物のHAXPES分析 安居 麻美 (株)東レリサーチセンター 日本 産業界 産業利用 6 BL47XU 専有