1 エレクトロニクス・情報ストレージ
【ULSI技術】
1.1 ゲート絶縁膜
Si(111)表面のナノスケール選択酸化初期過程の高分解能光電子分光解析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出102KB
三木 一司     産業技術総合研究所
固体中からの電子放出時にサブナノ領域の深さにおける相互作用の評価 軟X線発光・吸収分子による薄膜シリコン酸窒化膜界面の電子構造研究258KB
鈴木  峰晴     NTTアドバンステクノロジ株式会社
ゲート酸化膜/シリコン界面構造と酸化膜厚均一性の検出 軟X線発光・吸収分子による薄膜シリコン酸窒化膜界面の電子構造研究332KB
服部 健雄     武蔵工業大学 工学部
1.2 配線,ナノワイヤ等
ナノサイズアルミニウム配線のエレクトロマイグレーション誘起応力の挙動 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化430KB
英 崇夫       徳島大学 工学部
【磁気記録技術】
1.3 磁性半導体
XMCDによる遷移金属希薄磁性半導体GaCrNの強磁性の研究 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化145KB
江村 修一     大阪大学 産業科学研究所
軟X線MCDによるGa0.97Cr0.03N希薄磁性半導体の磁化温度特性解析 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化213KB
牧野 久雄     東北大学 金属材料研究所
希薄磁性半導体Ga1-xCrxN の共鳴軟X線発光分光 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化173KB
辛 埴        東京大学 物性研究所
1.4 記録媒体、磁性膜
単原子層制御された磁性薄膜の蛍光X線ホログラフィー 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化426KB
嶋 敏之       東北大学 金属材料研究所
垂直磁気記録媒体におけるPtキャップ層の磁気異方性の決定 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化358KB
村岡 裕明      東北大学 電気通信研究所
層状規則合金FePtは何原子層から強磁性になるか 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化220KB
今田 真      大阪大学大学院 基礎工学研究科
軟X 線磁気円二色性による
            [Co/Pd]多層膜垂直磁気記録媒体の微細構造と垂直磁気異方性の研究
酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化181KB
朝日 透      早稲田大学大学院 理工学研究科
1.5 磁性ナノドット、磁性ナノワイヤ、磁性ナノ粒子等
XAS and XMCD study of Mn and Co nanoclusters on Si (111)-(7x7) 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化201KB
喬 山       広島大学 放射光科学研究センター
放射光核共鳴前方散乱によるFe量子ワイヤーの内部磁場についての研究 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化253KB
瀬戸 誠      京都大学 原子炉実験所
磁性フラーレン分子を内包したSWNTのMCD 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化217KB
真庭 豊      東京都立大学 理学研究科
窒素吸着銅(001)面上に形成したコバルトナノドットの磁気モーメント 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化272KB
小森 文夫     東京大学 物性研究所
FexNbS2(x=0, 0.239,0.325)の軟X線分光 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化258KB
斉藤 裕児     日本原子力研究所 関西研究所
1.6 スピンエレクトロニクスなど新規磁性材料
ゼロ磁化強磁性体(Sm,Gd)Al2のヘリシティー反転によるSmL23内殻吸収磁気円二色性 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化212KB
木村 昭夫     広島大学大学院 理学研究科
フェリ磁性体LiFe5O8におけるx線磁気カイラル効果 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化110KB
久保田 正人    科学技術振興事業団
アバランシェフォトダイオードディテクタを用いた高計数率磁気回折測定システム 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化238KB
細糸 信好      奈良先端科学技術大学院大学 物質科学教育研究センター
【光記録技術】
1.7 相変化記録媒体、半導体レーザ材料
マイクロビーム蛍光X線分析によるGaAsBiのキャラクタリゼーション 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化166KB
平井 敦彦     株式会社 エックスレイプレシジョン
XAFSによるInGaN多重量子井戸構造のIn原子の局所構造 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化200KB
宮永 崇史     弘前大学 理工学部
相変化光記録ディスクの電子分光 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化171KB
谷 克彦      株式会社 リコー
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