5 基盤技術開発
5.1 ナノ構造イメージング等
Fe/Cu(001) 表面の原子配列立体写真 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出311KB
大門 寛       奈良先端科学技術大学院大学 物質創生科学研究科
蛍光X線ホログラフィーによるSiGeバルク結晶の構造評価 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出239KB
林 好一        東北大学 金属材料研究所
異常散乱現象を利用した蛍光X線ホログラフィー技術の開発 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出329KB
松原 英一郎    東北大学 金属材料研究所
走査型蛍光X線顕微鏡による100nm元素分析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出167KB
青木 貞雄      筑波大学 物理工学系
5.2 ナノレベル深さ元素分析
X線マイクロビームを用いるナノメーターレベルでの深さ方向分析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出228KB
辻 幸一       大阪市立大学大学院 工学研究科
5.3 分子操作、原子励起
エネルギー分解したSi:1s光電子−光イオン同時計数法を用いた原子分子操作の研究 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出200KB
長岡 伸一      愛媛大学 理学部
希ガス多価イオンの高エネルギー内殻電子励起分光によるプラズマ励起素過程の研究 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出223KB
大浦 正樹      理化学研究所 播磨研究所
新規温室効果ガスSF5CF3のナノメートル・スケール「分子メス」による分解操作の研究 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出256KB
伊吹 紀男      京都教育大学 教育学部
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