テーマN10 極薄金属酸化膜の形成とその光電子分光解析 (BL23SU)
Si(111)表面のナノスケール選択酸化初期過程の高分解能光電子分光解析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出102KB
三木 一司     産業技術総合研究所
Ti表面酸化による極薄不動態膜形成過程の解明 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出185KB
高桑 雄二     東北大学 多元物質科学研究所
軟X線磁気円二色性による
            [Co/Pd]多層膜垂直磁気記録媒体の微細構造と垂直磁気異方性の研究
酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化181KB
朝日 透      早稲田大学大学院 理工学研究科
テーマN11 高精度小角散乱によるナノ凝縮体解析 (BL15XU)
高精度超小角散乱による無機ナノ凝集体解析(2) ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出203KB
石本 竜二     株式会社 トクヤマ
ナノデバイス用超伝導ウィスカーの化学状態分析
ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出226KB
岸田 悟      鳥取大学 工学部
固体中からの電子放出時にサブナノ領域の深さにおける相互作用の評価 軟X線発光・吸収分子による薄膜シリコン酸窒化膜界面の電子構造研究258KB
鈴木  峰晴     NTTアドバンステクノロジ株式会社
カーボンナノチューブ生成触媒とシリコン表面の反応に関する光電子分光研究 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出158KB
本間 芳和     NTT物性科学基礎研究所
In situ蛍光分光XAFSによるV/TiO2触媒活性サイト構造変化の研究 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出361KB
泉 康雄       東京工業大学大学院 総合理工学研究科
希ガス多価イオンの高エネルギー内殻電子励起分光によるプラズマ励起素過程の研究 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出223KB
大浦 正樹      理化学研究所 播磨研究所
テーマN12 高エネルギー内殻光電子分光 (BL15XU)
相変化光記録ディスクの電子分光 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化171KB
谷 克彦      株式会社 リコー
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