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1 エレクトロニクス・情報ストレージ |
【ULSI技術】 |
1.1 ゲート絶縁膜 |
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超熱原子・分子線により室温処理したシリコン酸窒化膜の表面解析 |
 2,438KB |
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田川 雅人 神戸大学 工学部 |
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軟X線光電子分光による4H-SiC(000−1)面上酸化膜の評価 |
1,783KB |
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服部 健雄 武蔵工業大学 工学部 |
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軟X線吸収発光分光法による酸窒化膜/Si界面電子状態のサイト選択的観測 |
1,481KB |
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山下 良之 東京大学 物性研究所 |
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硬X線光電子分光法によるMIS構造のバンドアライメント評価 |
1,754KB |
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吉木 昌彦 株式会社東芝 |
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硬X線光電子分光による金属ゲート/高誘電率ゲート絶縁膜/シリコン多層構造の深さ方向分析 |
1,949KB |
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財満 鎭明 名古屋大学大学院 工学研究科 |
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リアルタイムXPSによるNiAl表面の酸化過程における水素ビーム照射効果の解明 |
2,862KB |
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福谷 克之 東京大学 生産技術研究所 |
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1.2 トンネル絶縁膜 |
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高エネルギーX線光電子分光によるトンネル膜向け酸窒化膜構造の評価 |
1,425KB |
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劉 紫園 NECエレクトロニクス株式会社 |
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1.3 歪シリコン技術 |
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微小領域逆格子マッピングによる歪Si/SiGe/Siヘテロ構造の局所的歪揺らぎの検出 |
1,603KB |
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酒井 朗 名古屋大学大学院 工学研究科 |
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1.4 強誘電体メモリ薄膜 |
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光電子分光とX線吸収分光によるペロブスカイト型Ti酸化物薄膜の強誘電性の安定性の研究 |
1,801KB |
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林 元華 東京大学大学院 新領域創成科学研究科 |
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1.5 配線、ナノワイヤ、ナノドット等 |
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ナノサイズアルミニウム配線のエレクトロマイグレーション誘起ひずみのアスペクト依存性 |
1,233KB |
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英 崇夫 徳島大学 工学部 |
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1.6 酸化物エレクトロニクス材料 |
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ナノスケールでキャリア制御されたSrTiO3の発光機構の解明 |
1,278KB |
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寺嶋 孝仁 京都大学 化学研究所 |
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SiTiO3/SrRuO3超格子の内殻磁気円二色性測定による界面磁性測定 |
1,277KB |
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組頭 広志 東京大学大学院 工学系研究科 |
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【化合物半導体技術】 |
1.7 半導体レーザ |
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In蛍光X線を用いたGaInN量子井戸の結晶評価 |
2,283KB |
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宮嶋 孝夫 ソニー株式会社 |
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【磁気記録技術】 |
1.8 記録媒体、磁性膜 |
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磁気記録媒体用FePtナノパーティクルのXMCD測定 |
1,176KB |
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淡路 直樹 株式会社 富士通研究所 |
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磁気ヘッド用FeCo/Pd超格子膜のXMCD測定 |
1,029KB |
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淡路 直樹 株式会社 富士通研究所 |
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Mn3Ir/Co-Fe積層膜の巨大交換磁気異方性と反強磁性スピンの磁化過程との相関 |
1,197KB |
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角田 匡清 東北大学大学院 工学研究料 |
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次世代磁気記録メディアPtFe合金薄膜のフォノン |
1,876KB |
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角田 頼彦 早稲田大学 理工学部 |
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硬X線磁気円二色性分光測定による光磁気記録材料CoxTb100-xアモルファス薄膜のスペリ磁性の研究 |
1,547KB |
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安居院 あかね 日本原子力研究所 |
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強磁性及び反強磁性薄膜とNiO界面におけるX線光電子顕微鏡による磁区ドメイン観察 |
1,457KB |
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奥田 太一 東京大学 物性研究所 |
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1.9 スピンエレクトロニクスなど新規磁性材料 |
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マンガン分子ナノ磁石のMnK-吸収端X線磁気円二色性の研究
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1,808KB |
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Subías-Peruga,Garcia CSIC Universidad de Zaragona |
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119Sｎ核共鳴散乱法を用いた金属ナノ薄膜における局所電子スピン分極の検出 |
1,513KB |
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壬生 攻 京都大学 低温物質科学研究センター |
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Bulk ESCA and Valence Band measurements
of Ge-Sb-Te based optical Memory Alloys |
1,689KB |
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Fons, Paul 産業技術総合研究所 |
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光電子顕微鏡によるマンガン酸化物薄膜の相分離：電子・磁気状態のドメイン観察 |
2,457KB |
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組頭 広志 東京大学大学院 工学系研究科 |
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【光記録技術】 |
1.10 相変化材料 |
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ＤＶＤディスク薄膜材料の高分解能硬X線光電子分光
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1,800KB |
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松永 利之 株式会社 松下テクノリサーチ |
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XAFS study of structural changes under
hydrostatic pressure in Ge-Sb-Te Alloy used in near-field recording with
nanometer size marks
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1,424KB |
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Kolobov, Alexander 産業技術総合研究所 |
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Detection of Ge XAFS in Ge-Sb-Te optical
memory alloys using a high-resolution fluorescence analyzer system
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1,936KB |
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Fons，Paul 産業技術総合研究所 |
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2 新規物質、表面・ナノ結晶・ナノサイズ効果 |
2.1 フラーレン関連物質 |
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金属内包フラーレンのLmedgｅでの高分解能共鳴非弾性散乱 |
1,426KB |
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山岡 人志 理化学研究所 |
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軟X線ＭＣＤによる希土類全属内包フラーレンの高感度磁化解析 |
1,900KB |
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篠原 久典 名古屋大学 理学部 |
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高磁場軟X線MCDによるDd,Dy内包フラーレンの常磁性磁化解析 |
1,605KB |
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篠原 久典 名古屋大学 理学部 |
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化学ドープしたC60,C120およびC60ナノウィスカーの構造解析 |
1,580KB |
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谷垣 勝己 東北大学大学院 理学研究科 |
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2.2 ナノチューブ |
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金属ナノ融点降下を利用したクラスターサイズ制御と物性研究 |
1,186KB |
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三谷 忠興 北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究所 |
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2.3 ナノ高分子材料、有機半導体等 |
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粉末X線回折法によるペンタセン誘電体のretro Diels-Alder 反応による有機半導体結晶の生成過程の解析 |
1,758KB |
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高原 淳 九州大学 先導物質化学研究所 |
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視斜角入射X線回折（GIXD）による有機超薄膜の二次元相転移現象の解析 |
1,715KB |
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高原 淳 九州大学 先導物質化学研究所 |
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2.4 ナノサイズ効果、ナノ結晶等 |
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β菱面体晶ボロンヘのVドープによる金属結合-共有結合転換の観測 |
1,531KB |
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木村 薫 東京大学 新領域創成科学研究所 |
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2.5 表面ナノ構造、電極表面構造、表面化学 |
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ln(Sn)/Cu(001)表面における相転移現象のSPELEEMによる観察 |
1,460KB |
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有賀 哲也 京都大学大学院 理学研究科 |
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表面X線散乱法による異種金属修飾Au単結晶表面上での自己組織化単分子構造のその場追跡 |
1,366KB |
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魚崎 浩平 北海道大学大学院 理学研究科 |
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2.6 ナノ構造材料等 |
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半導体単結晶ナノロッド配列の自己組織形成と結晶構造評価 |
2,126KB |
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新宮原 正三 関西大学 工学部 |
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2.7 エレクトライド |
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硬XPSを用いた12CaO･7Al2O3の価電子帯の電子状態観察 |
1,292KB |
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細野 秀雄 東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター |
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3 エネルギー材料 |
3.1 多孔質材料、ガス吸着、触媒担持材料等 |
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Pd/Ptナノ粒子の水素吸蔵に伴う構造変化 |
1,252KB |
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山内 美穂 九州大学大学院 理学研究院 |
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Crystallographic study of silica-mesoporous
crystals and nano-strctured materials synthesized within the periodically
arranged pores |
1,271KB |
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寺崎 治 ストックホルム大学 アルレニウス研究所 |
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多孔性金属錯体細孔内の単分子鎖高分子の構造決定 |
1,310KB |
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北川 進 京都大学大学院 工学研究料 |
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固体トロポロンコバルト錯体へのメタノール吸着機構の構造的解釈 |
1,671KB |
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長谷川 美貴 青山学院大学 理工学部 |
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芳香族および脂肪族炭化水素を吸蔵したtrans-1,4-シクロヘキサンジカルボンサン銅の結晶構造 |
1,915KB |
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川路 均 東京工業大学 応用セラミックス研究所 |
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ナノ細孔を有する配位高分子の超プロトン伝導機構の解明 |
1,590KB |
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北川 宏 九州大学大学院 理学研究院 |
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3.2 イオン伝導性材料 |
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μ-XRF及びμ-XAFSを用いた太陽電池用多結晶シリコン基板内の各種不純物の分布と微細領域における結合状態に関する研究 |
1,931KB |
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大下 祥雄 豊田工業大学 工学部 |
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3.3 省エネルギー技術 |
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超音波霧化法によって生じたエタノール-水ミストのサイズ分布測定 |
1,937KB |
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矢野 陽子 学習院大学 理学部 |
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4 環境関連物質評価 |
4.1 生体内汚染等 |
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アトピー性皮膚炎における微量元素の動態の解析 |
1,881KB |
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白川 太郎 京都大学大学院 医学研究科 |
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4.2 環境浄化植物 |
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μ-XRFおよびμ-XAFSを用いた環境浄化植物モエジマシダにおけるヒ素蓄積機構の解明 |
2,265KB |
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中井 泉 東京理科大学 理学部 |
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5 基盤技術開発 |
5.1 ナノ構造イメージング等 |
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SPELEEMによるSi上へのInSb直接ヘテロ成長過程の研究 |
1,282KB |
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越川 孝範 大阪電気通信大学 エレクトロニクス基礎研究所 |
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Nano-XAFS実験技術の開発：硬X線を用いた光電子顕微鏡（HXPEEM）の新たな利用法 |
2,015KB |
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小嗣 真人 広島大学 放射光科学研究センター |
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5.2 元素変換 |
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X線マイクロビームを用いたPd多層膜表面微量元素分布と金属組織の相関把握 |
3,453KB |
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岩村 康弘 三菱重工業株式会社 |
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