C60FET薄膜における構造物性研究
問い合わせ番号
SOL-0000001274
ビームライン
BL02B2（粉末結晶構造解析）
学術利用キーワード
| A. 試料 | 有機材料 |
|---|---|
| B. 試料詳細 | 半導体, 結晶性固体, 低分子有機材料, 結晶, 膜 |
| C. 手法 | Ｘ線回折 |
| D. 手法の詳細 | 粉末結晶構造解析 |
| E. 付加的測定条件 | 表面, 室温 |
| F. エネルギー領域 | Ｘ線（4～40 keV) |
| G. 目的・欲しい情報 | 構造解析, 結晶構造, 機能構造相関 |
産業利用キーワード
| 階層1 | 半導体, ディスプレイ |
|---|---|
| 階層2 | LCD |
| 階層3 | TFT |
| 階層4 | 配向, 結晶化度 |
| 階層5 | 回折 |
分類
A80.12 半導体・電子材料, M10.20 粉末結晶回折
利用事例本文
粉末回折法は 結晶構造を調べることのできる強力な手法です。この手法を用いることで、結晶性物質の 原子位置、格子定数などを測定することができます。また、放射光を用いることにより、構造パラメータだけではなく結合状態や価数といった物性の発現と密接に関連した電子密度レベルでの構造を明らかにすることも可能です。図に示すのは、C60FET薄膜について低視斜角入射により測定した回折データです。このデータを解析した結果得られた結晶配向性と粒径サイズから、FETの特性と構造との相関がわかりました。
図 C60FET薄膜の低視斜角回折パターン
[ H. Ohashi, K. Tanigaki, S. Kimura, R. Kumashiro, K. Kato and M. Takata, Applied Physics Letters 84, 520-522 (2004), Fig. 1,
©2004 American Institute of Physics ]
画像ファイルの出典
BL評価レポート
ページ
61
測定手法
放射光を用いた粉末回折法は、結晶構造を調べられる強力な測定方法です。この方法は、低視斜角入射による薄膜測定にも適用でき、薄膜の配向性や結晶の粒径に関する情報を得ることができます。
図 大型デバイシェラーカメラの模式図（左）と写真（右）
画像ファイルの出典
BL評価プレゼン資料
測定準備に必要なおおよその時間
1 シフト
測定装置
| 装置名 | 目的 | 性能 |
|---|---|---|
| 大型デバイシェラーカメラ | 粉末結晶構造解析 | カメラ半径：286.48mm, 温度：15-1000K |
参考文献
| 文献名 |
|---|
| H. Ohashi et al., Applied Physics Letters, 84 (2004) 520. |
関連する手法
単結晶構造解析
アンケート
本ビームラインの主力装置を使っている
測定の難易度
中程度
データ解析の難易度
中程度
図に示した全てのデータを取るのにかかったシフト数
2～3シフト