High energy XPS interface analysis of magnetic tunnel junction device
問い合わせ番号
SOL-0000004529
ビームライン
BL15XU（理研 物質科学III）
学術利用キーワード
| A. 試料 | 無機材料 |
|---|---|
| B. 試料詳細 | 金属・合金, 絶縁体・セラミックス |
| C. 手法 | 光電離、二次電子 |
| D. 手法の詳細 | 光電子分光 |
| E. 付加的測定条件 | 界面 |
| F. エネルギー領域 | 中間エネルギー（2-4 keV）, Ｘ線（4～40 keV) |
| G. 目的・欲しい情報 | 化学状態, 結合状態 |
産業利用キーワード
| 階層1 | 記憶装置 |
|---|---|
| 階層2 | HD、MO |
| 階層3 | 磁気ヘッド |
| 階層4 | 化学状態 |
| 階層5 | XPS |
分類
M50.10 光電子分光
利用事例本文
High energy XPS is useful to analyse chemical states and electronic structure without surface cleaning owing to its long observation depth.
Magnetic tunnel junction device has a sandwich structure of a ferromagnetic layer and an insulating tunneling layer. In this work, high energy XPS can clarify the chemical states at the interface of the ferromagnetic layer and the insulating layer. Left figure shows the survey XPS spectra of one side of magnetic tunnel device with Mg X-ray tube and 3keV SR. This figure indicates that Mn 2p peak of SR survey spectrum in PtMn deep layer is visible and it can be concluded that high energy XPS spectrum has long observation depth. Right figure shows angle-resolved high energy XPS reveals that Fe was easily preferentially oxide at the deep interface of the FeCo layer and alumina insulating layer.
[ H. Yoshikawa, Y. Kita, K. Watanabe, A. Tanaka, M. Kimura, A. Nisawa, A. M. Vlaicu, M. Kitamura, N. Yagi, M. Okui, M. Taguchi, R. Oiwa and S. Fukushima, Journal of Surface Analysis 9, 374-377 (2002), Fig. 5, 6,
©2002 Surface Analysis Society of Japan ]
画像ファイルの出典
原著論文/解説記事
誌名
Journal of Surface Analysis 9 (2002) 374-377
図番号
Fig.5, Fig.6
測定手法
High energy XPS is useful to analyse chemical states and electronic structure without surface cleaning owing to its long observation depth.
画像ファイルの出典
図なし
測定準備に必要なおおよその時間
時間
測定装置
| 装置名 | 目的 | 性能 |
|---|---|---|
| High energy XPEEM | bulk sensitive chemical analysis | maximum phoelectrons' energy 4.8keV |
参考文献
| 文献名 |
|---|
| Journal of Surface Analysis 9 (2002) 374-377 |
関連する手法
アンケート
本ビームラインの主力装置を使っている
測定の難易度
中程度
データ解析の難易度
中程度
図に示した全てのデータを取るのにかかったシフト数
1シフト以下