超小角散乱によるアモルファスＳｉＯ２ナノ粒子の粒径分布解析
問い合わせ番号
SOL-0000001374
ビームライン
BL15XU（理研 物質科学III）
学術利用キーワード
| A. 試料 | 無機材料, 計測法、装置に関する研究 |
|---|---|
| B. 試料詳細 | 非晶質、ガラス |
| C. 手法 | |
| D. 手法の詳細 | 小角散乱, 超小角散乱 |
| E. 付加的測定条件 | |
| F. エネルギー領域 | Ｘ線（4～40 keV) |
| G. 目的・欲しい情報 |
産業利用キーワード
| 階層1 | 半導体, 化学製品, 工業材料 |
|---|---|
| 階層2 | シリコン系半導体, 触媒 |
| 階層3 | 層間絶縁膜 |
| 階層4 | 粒径分布 |
| 階層5 | SAXS |
分類
A80.30 無機材料, M20.10 小角散乱
利用事例本文
本事例ではアモルファスＳｉＯ２のナノ粉末について小角散乱を行い、その粒径分布を解析しました。ＢＬ１５ＸＵの小角散乱実験では、アンジュレータ光源の低発散と大強度特性のため、バックグラウンドノイズ影響の少ない良質の強度データを得ることができます。このデータから、図に示すように１～２００ｎｍの広い粒径分布を持つアモルファスＳｉＯ２のナノ粉末の粒径分布の解析が可能です。
[ H. Hashimoto, T. Nagumo, T. Inaba, Y. Furukawa, M. Okui and S. Fukushima, Applied Surface Science 241, 227-230 (2005), Fig. 2,
©2005 Elsevier Science Publisher ]
画像ファイルの出典
原著論文/解説記事
誌名
Applied Surface Science 241(2005),227-230
図番号
Figure 2
測定手法
小角散乱は一般に2～100nmの構造調査に適用でき、粒子の大きさ、形、表面・界面構造に関する情報を得ることができます。ＢＬ１５ＸＵの小角散乱ではアンジュレータ光源の低発散性により1-200nmの広い範囲の試料を対象とすることができます。
画像ファイルの出典
図なし
測定準備に必要なおおよその時間
12 時間
測定装置
| 装置名 | 目的 | 性能 |
|---|---|---|
| 小角散乱装置 | 小角散乱強度測定 | 対象試料 1-200nm |
参考文献
| 文献名 |
|---|
| Applied Surface Science 241(2005),227-230 |
| J.Synchrotron Rad.(2003). 10, 424-429 |
関連する手法
アンケート
本ビームラインの主力装置を使っている
ユーザー持ち込み装置を使った
測定の難易度
熟練が必要
データ解析の難易度
熟練が必要
図に示した全てのデータを取るのにかかったシフト数
10シフト以上