YB66分光結晶を用いた全電子収量法によるXANESスペクトル測定
問い合わせ番号
SOL-0000001380
ビームライン
BL15XU（理研 物質科学III）
学術利用キーワード
| A. 試料 | 計測法、装置に関する研究 |
|---|---|
| B. 試料詳細 | 半導体 |
| C. 手法 | 光電離、二次電子 |
| D. 手法の詳細 | XANES |
| E. 付加的測定条件 | |
| F. エネルギー領域 | 軟Ｘ線（<2 keV） |
| G. 目的・欲しい情報 | 電子状態、バンド構造 |
産業利用キーワード
| 階層1 | 半導体 |
|---|---|
| 階層2 | シリコン系半導体 |
| 階層3 | |
| 階層4 | 電子状態 |
| 階層5 | NEXAFS |
分類
M40.10 XAFS
利用事例本文
BL15では光学ハッチ内の二結晶分光器において、YB66結晶を分光結晶として、1.2keV～2keVの光を分光し実験ハッチで利用することが可能です。下図のように、この光を使って全電子収量法によるX線吸収端微細構造（XANES)スペクトルの取得が可能です。
分光後の光のエネルギー分解能は、1200eVの光に対しては0.2eV、2000eVの光に対しては0.4eVとなります。なお、このエネルギー分解能は、フロントエンドスリットの開口幅に依存します。
[ M. Kitamura, H. Yoshikawa, T. Tanaka, T. Mochizuki, A. N. Vlaicu, A. Nisawa, N. Yagi, M. Okui, M. Kimura and S. Fukushima, Journal of Synchrotron Radiation 10, 310-312 (2003), Fig. 5, 6,
©2003 International Union of Crystallography ]
画像ファイルの出典
原著論文/解説記事
誌名
Journal of Synchrotron Radiation 10 (2003) 310-312
図番号
Fig.5, Fig.6
測定手法
BL15では光学ハッチ内の二結晶分光器において、YB66（４００）結晶を分光結晶として、1.2keV～2keVの光を分光し実験ハッチで利用することが可能です。この光を使って全電子収量法によるX線吸収端微細構造（XANES)スペクトルの取得が可能です。
画像ファイルの出典
図なし
測定準備に必要なおおよその時間
1 時間
測定装置
| 装置名 | 目的 | 性能 |
|---|---|---|
| YB66分光結晶を用いた全電子収量法 | XANESスペクトル測定 | エネルギー範囲：1.2keV～2keV |
参考文献
| 文献名 |
|---|
| Journal of Synchrotron Radiation 10 (2003) 310-312 |
関連する手法
アンケート
ユーザー持ち込み装置を使った
測定の難易度
中程度
データ解析の難易度
中程度
図に示した全てのデータを取るのにかかったシフト数
1シフト以下