YB66分光結晶を用いた全電子収量法によるXANESスペクトル測定
Inquiry number
SOL-0000001380
Beamline
BL15XU (RIKEN Materials Science III)
Scientific keywords
| A. Sample category | research on method, instrumentation |
|---|---|
| B. Sample category (detail) | semiconductor |
| C. Technique | photoemission, photoionization |
| D. Technique (detail) | XANES |
| E. Particular condition | |
| F. Photon energy | soft X-ray |
| G. Target information | electronic state |
Industrial keywords
| level 1---Application area | Semiconductor |
|---|---|
| level 2---Target | silicon semiconductor |
| level 3---Target (detail) | |
| level 4---Obtainable information | electronic state |
| level 5---Technique | NEXAFS |
Classification
M40.10 XAFS
Body text
BL15では光学ハッチ内の二結晶分光器において、YB66結晶を分光結晶として、1.2keV～2keVの光を分光し実験ハッチで利用することが可能です。下図のように、この光を使って全電子収量法によるX線吸収端微細構造（XANES)スペクトルの取得が可能です。
分光後の光のエネルギー分解能は、1200eVの光に対しては0.2eV、2000eVの光に対しては0.4eVとなります。なお、このエネルギー分解能は、フロントエンドスリットの開口幅に依存します。
[ M. Kitamura, H. Yoshikawa, T. Tanaka, T. Mochizuki, A. N. Vlaicu, A. Nisawa, N. Yagi, M. Okui, M. Kimura and S. Fukushima, Journal of Synchrotron Radiation 10, 310-312 (2003), Fig. 5, 6,
©2003 International Union of Crystallography ]
Source of the figure
Original paper/Journal article
Journal title
Journal of Synchrotron Radiation 10 (2003) 310-312
Figure No.
Fig.5, Fig.6
Technique
BL15では光学ハッチ内の二結晶分光器において、YB66（４００）結晶を分光結晶として、1.2keV～2keVの光を分光し実験ハッチで利用することが可能です。この光を使って全電子収量法によるX線吸収端微細構造（XANES)スペクトルの取得が可能です。
Source of the figure
No figure
Required time for experimental setup
1 hour(s)
Instruments
| Instrument | Purpose | Performance |
|---|---|---|
| YB66分光結晶を用いた全電子収量法 | XANESスペクトル測定 | エネルギー範囲：1.2keV～2keV |
References
| Document name |
|---|
| Journal of Synchrotron Radiation 10 (2003) 310-312 |
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Middle
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Middle
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