RDF of HfSiOx
問い合わせ番号
SOL-0000000879
ビームライン
BL19B2（X線回折・散乱 II）
学術利用キーワード
| A. 試料 | 無機材料 |
|---|---|
| B. 試料詳細 | 半導体, 絶縁体・セラミックス |
| C. 手法 | Ｘ線弾性散乱 |
| D. 手法の詳細 | 斜入射Ｘ線回折／散乱 |
| E. 付加的測定条件 | 室温 |
| F. エネルギー領域 | Ｘ線（4～40 keV) |
| G. 目的・欲しい情報 | 構造解析 |
産業利用キーワード
| 階層1 | 半導体 |
|---|---|
| 階層2 | シリコン系半導体 |
| 階層3 | ゲート絶縁膜 |
| 階層4 | 液体・非晶質構造 |
| 階層5 | GIXS |
分類
A80.12 半導体・電子材料, M10.30 表面・界面構造回折
利用事例本文
In this solution, grazing incidence X-ray scattering was applied to an amorphous hafnium-silicate film for gate insulator of LSI to analyze its atomic alignment (Radial distribution function). In grazing incidence X-ray scattering, incident X-rays are impinged to a sample surface with a very small angle (lower than the critical angle for total reflection) to restrict X-ray penetration depth in some teens nanometers. In this condition, sensitivity to scattered X-rays from sample surface or deposited thin film on substrate is much improved. These data reveal the fact that local structure around hafnium resembles to that of crystalline HfO2.
Radial distribution function of Hf-silicate
画像ファイルの出典
私信等、その他
詳細
広沢 作成
測定手法
Grazing incidence X-ray scattering is performed by observing scattered X-ray profiles reflecting atomic arrangement of thin film on substrate. In this solution, radial distribution function of HfSiOx were obtained.
画像ファイルの出典
図なし
測定準備に必要なおおよその時間
1 シフト
測定装置
| 装置名 | 目的 | 性能 |
|---|---|---|
| Multi-axis diffractometer | diffraction | 4axes and 2axes |
参考文献
| 文献名 |
|---|
| I. Hirosawa, et.al., Transactions of the Materials Research Society of Japan, 30 (2005) 221-224 |
関連する手法
アンケート
本ビームラインの主力装置を使っている
測定の難易度
中程度
データ解析の難易度
熟練が必要
図に示した全てのデータを取るのにかかったシフト数
2～3シフト