Rocking curves of silicon crystals using plane-wave x-rays
問い合わせ番号
SOL-0000001143
ビームライン
BL20B2（医学・イメージングI）
学術利用キーワード
| A. 試料 | 無機材料 |
|---|---|
| B. 試料詳細 | 半導体, 結晶性固体, 結晶 |
| C. 手法 | Ｘ線回折 |
| D. 手法の詳細 | |
| E. 付加的測定条件 | 二次元画像計測 |
| F. エネルギー領域 | Ｘ線（4～40 keV), Ｘ線（>40 keV） |
| G. 目的・欲しい情報 | 局所構造, 欠陥、転位、歪み, 機能構造相関 |
産業利用キーワード
| 階層1 | 半導体 |
|---|---|
| 階層2 | シリコン系半導体 |
| 階層3 | SOI,基板 |
| 階層4 | 格子定数, 結晶構造 |
| 階層5 | 回折, イメージング |
分類
A80.12 半導体・電子材料, M10.10 単結晶回折
利用事例本文
Oscillations in the rocking curves measured in the transmission case using plane-wave x-rays are very sensitive to lattice strains in the crystals. Using a high resolution X-ray imaging detector, one can measure plane-wave X-ray topographs as a function of the x-ray incident angles. Reconstructing the x-ray intensity data sets in these topographs, one can obtain the rocking curves for each pixel of the X-ray imaging detector. The figure shows the rocking curves of 220 reflection of a defect region (upper) and a perfect region (lower) in a CZ-Si crystal. Asymmetry and smearing of oscillation are observed in the rocking curve of the defect region. These rocking curves reveal the lattice strain around the defects.
画像ファイルの出典
所内報
誌名
S. Iida et al, SPring-8 User Experimental Report, No. 14 (2004B)
ページ
118
測定手法
画像ファイルの出典
図なし
測定準備に必要なおおよその時間
3 シフト
測定装置
参考文献
関連する手法
アンケート
SPring-8だからできた測定。他の施設では不可能もしくは難しい
本ビームラインの主力装置を使っている
測定の難易度
中程度
データ解析の難易度
初心者でもOK
図に示した全てのデータを取るのにかかったシフト数
2～3シフト