Plane-wave x-ray topography of grown-in microdefects in silicon crystals
問い合わせ番号
SOL-0000001144
ビームライン
BL20B2（医学・イメージングI）
学術利用キーワード
| A. 試料 | 無機材料 |
|---|---|
| B. 試料詳細 | 半導体, 結晶 |
| C. 手法 | Ｘ線回折 |
| D. 手法の詳細 | |
| E. 付加的測定条件 | 二次元画像計測 |
| F. エネルギー領域 | Ｘ線（4～40 keV), Ｘ線（>40 keV） |
| G. 目的・欲しい情報 | 局所構造, 結晶構造, 欠陥、転位、歪み |
産業利用キーワード
| 階層1 | 半導体 |
|---|---|
| 階層2 | シリコン系半導体 |
| 階層3 | SOI,基板 |
| 階層4 | 格子定数, 結晶構造, 元素分布, 形態 |
| 階層5 | 回折, イメージング |
分類
A80.12 半導体・電子材料, A80.30 無機材料
利用事例本文
Plane-wave x-ray topography is a high-sensitive technique to visualize imperfection or inhomogeneity in a crystal. Using short wavelength and large beam size plane-wave X-rays, one can perform simple and stable plane-wave x-ray topographic study of lattice defects in a crystal. The figures show the plane-wave X-ray topographs of 000 and 220 reflections of an as-grown CZ-silicon crystal. These topograph images reveal the density and size of the defects, and the magnitude of the lattice strain around the defects.
[ S. Iida, S. Kawado, T. Maehara, Y. Chikaura, Y. Suzuki, K. Kajiwara, J. Matsui, S. Kimura, Journal of Physics D 38, A23-A27 (2005), Fig. 4,
©2005 Institute of Physics and IOP Publishing, Ltd. ]
画像ファイルの出典
原著論文/解説記事
誌名
S. Iida et al, J. Phys. D: Appl. Phys. 38 (2005) A23-A27.
図番号
測定手法
画像ファイルの出典
図なし
測定準備に必要なおおよその時間
3 シフト
測定装置
参考文献
| 文献名 |
|---|
| S. Iida et al, J. Phys. D: Appl. Phys. 38 (2005) A23-A27. |
関連する手法
アンケート
SPring-8だからできた測定。他の施設では不可能もしくは難しい
本ビームラインの主力装置を使っている
測定の難易度
中程度
データ解析の難易度
初心者でもOK
図に示した全てのデータを取るのにかかったシフト数
2～3シフト