シリコン結晶中成長時導入欠陥の平面波Ｘ線トポグラフ観察
問い合わせ番号
SOL-0000001442
ビームライン
BL20B2（医学・イメージングI）
学術利用キーワード
| A. 試料 | 無機材料 |
|---|---|
| B. 試料詳細 | 半導体, 結晶 |
| C. 手法 | Ｘ線回折 |
| D. 手法の詳細 | |
| E. 付加的測定条件 | 二次元画像計測 |
| F. エネルギー領域 | Ｘ線（4～40 keV), Ｘ線（>40 keV） |
| G. 目的・欲しい情報 | 局所構造, 結晶構造, 欠陥、転位、歪み |
産業利用キーワード
| 階層1 | 半導体 |
|---|---|
| 階層2 | シリコン系半導体 |
| 階層3 | SOI,基板 |
| 階層4 | 格子定数, 結晶構造, 元素分布, 形態 |
| 階層5 | 回折, イメージング |
分類
A80.12 半導体・電子材料, A80.30 無機材料
利用事例本文
平面波Ｘ線トポグラフィは 結晶中の不均一や不完全性を高感度に可視化することのできる手法です。BL20B2ではこの手法に短波長で大きなサイズの平面波Ｘ線を使用することが出来るので，簡単で安定した状態で結晶中の格子欠陥の研究にこの手法を用いることができます。図に示すのは，as-grown CZシリコン結晶の000および220反射トポグラフです。成長時導入欠陥が見えます。このトポグラフから，成長時導入欠陥の数密度や大きさ，また欠陥のまわりの格子歪みの大きさがわかりました。
[ S. Iida, S. Kawado, T. Maehara, Y. Chikaura, Y. Suzuki, K. Kajiwara, J. Matsui, S. Kimura, Journal of Physics D 38, A23-A27 (2005), Fig. 4,
©2005 Institute of Physics and IOP Publishing, Ltd. ]
画像ファイルの出典
原著論文/解説記事
誌名
S. Iida et al, J. Phys. D: Appl. Phys. 38 (2005) A23-A27.
図番号
測定手法
画像ファイルの出典
図なし
測定準備に必要なおおよその時間
3 シフト
測定装置
参考文献
| 文献名 |
|---|
| S. Iida et al, J. Phys. D: Appl. Phys. 38 (2005) A23-A27. |
関連する手法
アンケート
SPring-8だからできた測定。他の施設では不可能もしくは難しい
本ビームラインの主力装置を使っている
測定の難易度
中程度
データ解析の難易度
初心者でもOK
図に示した全てのデータを取るのにかかったシフト数
2～3シフト