ナビゲーション


大面積シリコンウェハのトポグラフィー

  • Spring8ならでは

利用事例本文

200 mmまたは300 mm径の(001)シリコンウェーハへ、 0.38°入射で横300 mmx縦2 mm 幅の単色ビームを入射すると、ウェーハ全面にX線が照射されます。この条件で、X線エネルギーを21.45 keVに選ぶと、115非対称反射のベルグ‐バレット法X線トポグラフィを行うことができます。局所的なロッキングカーブ測定を併用して、ウェーハ表面の結晶完全性の評価を行います。200 mm径CZ法シリコンウェーハの製造プロセスにおいて、各加工ステップで生じる表面歪みを評価した例を図に示します。(a)はラッピング後の表面で、ロッキングカーブ幅が広いため、1ショットで全面のトポグラフが得られました。(b)はメカニカルケミカルポリッシュ(MCP)後の表面のステップスキャントポグラフです。ロッキングカーブの幅が狭く、ウェーハに反りがあるため、ウェーハを10秒間隔で回転しながら、各ステップで露光を繰り返し、ゼブラパターンを得ました。縞模様から反りの評価を行うことができます。

kawado1.jpg

学術利用キーワード

A. 試料 無機材料
B. 試料詳細 半導体, 結晶性固体
C. 手法 X線回折
D. 手法の詳細 単結晶構造解析
E. 付加的測定条件 二次元画像計測
F. エネルギー領域 X線(4~40 keV)
G. 目的・欲しい情報 欠陥、転位、歪み

産業利用キーワード

階層1 半導体
階層2 シリコン系半導体
階層3 SOI,基板
階層4 格子定数, 結晶構造
階層5 回折, イメージング

問い合わせ番号

SOL-0000001452

最終変更日 2006-03-31 16:34
カレンダー