大面積シリコンウェハのトポグラフィー
Body text
200 mmまたは300 mm径の(001)シリコンウェーハへ、 0.38°入射で横300 mmｘ縦2 mm 幅の単色ビームを入射すると、ウェーハ全面にX線が照射されます。この条件で、Ｘ線エネルギーを21.45 keVに選ぶと、115非対称反射のベルグ‐バレット法Ｘ線トポグラフィを行うことができます。局所的なロッキングカーブ測定を併用して、ウェーハ表面の結晶完全性の評価を行います。200 mm径CZ法シリコンウェーハの製造プロセスにおいて、各加工ステップで生じる表面歪みを評価した例を図に示します。(a)はラッピング後の表面で、ロッキングカーブ幅が広いため、1ショットで全面のトポグラフが得られました。(b)はメカニカルケミカルポリッシュ(MCP)後の表面のステップスキャントポグラフです。ロッキングカーブの幅が狭く、ウェーハに反りがあるため、ウェーハを10秒間隔で回転しながら、各ステップで露光を繰り返し、ゼブラパターンを得ました。縞模様から反りの評価を行うことができます。
Scientific keywords
| A. Sample category | inorganic material |
|---|---|
| B. Sample category (detail) | semiconductor, solid-state crystal |
| C. Technique | X-ray diffraction |
| D. Technique (detail) | single crystal |
| E. Particular condition | 2D imaging |
| F. Photon energy | X-ray (4-40 keV) |
| G. Target information | dislocation, strain |
Industrial keywords
| level 1---Application area | Semiconductor |
|---|---|
| level 2---Target | silicon semiconductor |
| level 3---Target (detail) | SOI, substrate |
| level 4---Obtainable information | d-spacing (lattice parameter), crystal structure |
| level 5---Technique | diffraction, imaging |
Inquiry number
SOL-0000001452
Last modified