位相回復Ｘ線回折法
問い合わせ番号
SOL-0000001540
ビームライン
BL29XU（理研 物理科学I）
学術利用キーワード
| A. 試料 | 計測法、装置に関する研究 |
|---|---|
| B. 試料詳細 | 半導体 |
| C. 手法 | Ｘ線回折 |
| D. 手法の詳細 | コヒーレント散乱, 位相計測 |
| E. 付加的測定条件 | 高分解能画像計測（顕微鏡） |
| F. エネルギー領域 | Ｘ線（4～40 keV) |
| G. 目的・欲しい情報 | 構造解析 |
産業利用キーワード
| 階層1 | 半導体 |
|---|---|
| 階層2 | シリコン系半導体 |
| 階層3 | |
| 階層4 | 形態 |
| 階層5 | 回折, イメージング |
分類
A80.20 金属・構造材料, A80.30 無機材料
利用事例本文
位相回復Ｘ線回折法は、回折Ｘ線波の複素振幅の解析性を用いた位相コントラスト可視化法です。
図に示すのは、シリコン製微細加工パターンの回折強度データと再生像です。
図 シリコン製微細加工パターンからのＸ線回折強度プロファイル
図 Ｘ線回折強度プロファイルから再生した試料厚変動
[ A. V. Darahanau, A. Y. Nikulin, A. Souvorov, Y. Nishino, B. C. Muddle and T. Ishikawa, Optics Communications 251, 100-108 (2005), Fig. 2, 3,
©2005 Elsevier B. V. ]
画像ファイルの出典
原著論文/解説記事
誌名
A.V. Darahanau, A.Y. Nikulin, A. Souvorov, Y. Nishino, B.C. Muddle, and T. Ishikawa, Optics Communications 251, 100-108 (2005)
図番号
2,3
測定手法
Ｘ線回折強度プロファイルはアナライザ結晶の角度をスキャンすることによって測定されます。
図 位相回復Ｘ線回折法の実験配置
[ A. V. Darahanau, A. Y. Nikulin, A. Souvorov, Y. Nishino, B. C. Muddle and T. Ishikawa, Optics Communications 251, 100-108 (2005), Fig. 1(a),
©2005 Elsevier B. V. ]
画像ファイルの出典
原著論文/解説記事
誌名
A.V. Darahanau, A.Y. Nikulin, A. Souvorov, Y. Nishino, B.C. Muddle, and T. Ishikawa, Optics Communications 251, 100-108 (2005)
図番号
1(a)
測定準備に必要なおおよその時間
24 時間
測定装置
参考文献
| 文献名 |
|---|
| A.V. Darahanau, A.Y. Nikulin, A. Souvorov, Y. Nishino, B.C. Muddle, and T. Ishikawa, Opt. Commun. 251, 100-108 (2005) |
| A.V. Darahanau, A.Y. Nikulin, A. Souvorov, Y. Nishino, B.C. Muddle, and T. Ishikawa, Phys. Lett. A 335, 494-498 (2005) |
| A. Y. Nikulin, A. V. Darahanau, R. Horney, and T. Ishikawa, Physica B 349, 281-295 (2004) |
| K. Siu, A. Y. Nikulin, K. Tamasaku, and T. Ishikawa, Appl. Phys. Lett. 79, 2112-2114 (2001) |
| K. Siu, A. Y. Nikulin, K. Tamasaku, and T. Ishikawa, J. Phys. D: Appl. Phys. 34, 2912-2917 (2001) |
関連する手法
アンケート
ユーザー持ち込み装置を使った
測定の難易度
熟練が必要
データ解析の難易度
熟練が必要
図に示した全てのデータを取るのにかかったシフト数
4～9シフト