光子干渉Ｘ線吸収微細構造
問い合わせ番号
SOL-0000001541
ビームライン
BL29XU（理研 物理科学I）
学術利用キーワード
| A. 試料 | 無機材料 |
|---|---|
| B. 試料詳細 | 金属・合金, 半導体, 絶縁体・セラミックス |
| C. 手法 | 吸収、及びその二次過程 |
| D. 手法の詳細 | XAFS |
| E. 付加的測定条件 | |
| F. エネルギー領域 | Ｘ線（4～40 keV) |
| G. 目的・欲しい情報 | 局所構造 |
産業利用キーワード
| 階層1 | その他 |
|---|---|
| 階層2 | |
| 階層3 | |
| 階層4 | 原子間距離, 局所構造 |
| 階層5 | XAFS |
分類
A80.12 半導体・電子材料, A80.20 金属・構造材料, A80.30 無機材料, A80.32 有機材料, M40.10 XAFS
利用事例本文
光子干渉Ｘ線吸収微細構造(XAFS)は、入射Ｘ線の干渉に起因してＸ線吸収スペクトル中にあらわれます。通常のXAFSとは異なり、吸収端をまたぎ広いエネルギー領域に存知します。原子間距離や配位数といった局所構造に関する情報が得られます。
図に示すのは、白金のL吸収端のはるか高エネルギー領域、および低エネルギー領域で観測されたXAFSです。
図 白金のL吸収端よりはるか高エネルギー領域でのXAFS
図 白金のL吸収端よりも低エネルギー領域でのXAFS
[ Y. Nishino, T. Ishikawa, M. Suzuki, N. Kawamura, P. Kappen, P. Korecki, N. Haack and G. Materlik, Physical Review B 66, 113103 (2002), Fig. 1, 2,
©2002 American Physical Society ]
画像ファイルの出典
原著論文/解説記事
誌名
Y. Nishino, T. Ishikawa, M. Suzuki, N. Kawamura, P. Kappen, P. Korecki, N. Haack, and G. Materlik, Phys. Rev. B 66, 113103 (2002)
図番号
1,2
測定手法
透過法でＸ線吸収係数を測定します。
画像ファイルの出典
図なし
測定準備に必要なおおよその時間
1 時間
測定装置
参考文献
| 文献名 |
|---|
| Y. Nishino, T. Ishikawa, M. Suzuki, N. Kawamura, P. Kappen, P. Korecki, N. Haack, and G. Materlik, Phys. Rev. B 66, 113103 (2002) |
関連する手法
アンケート
ユーザー持ち込み装置を使った
測定の難易度
中程度
データ解析の難易度
熟練が必要
図に示した全てのデータを取るのにかかったシフト数
4～9シフト