テーマN10 極薄金属酸化膜の形成とその光電子分光解析 (BL23SU)
超熱O2分子線によるCu3Auナノ表面酸化膜の作製と光電子分光による評価 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,574KB
笠井 俊夫       大阪大学
超熱原子状酸素ビームにより室温酸化したシリコン酸化膜の表面構造解析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,511KB
田川 雅人       神戸大学 工学部
室温希薄強磁性半導体Ga1XCrxNの軟X線共鳴光電子分光及び磁気円二色性による研究 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出3,114KB
藤森 淳        東京大学大学院 新領域創成科学研究科 
リアルタイムXPSを用いたアルミ酸化膜形成における水素触媒機構の解明 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出2,417KB
福谷 克之       東京大学 生産技術研究所
超音速窒素分子ビームを用いたTi表面窒化の反応ダイナミクス ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,901KB
高桑 雄二       東北大学 多元物質科学研究所
テーマN11 高精度小角散乱によるナノ凝縮体解析 (BL15XU)
異常小角散乱法による非平衡固体からのナノ粒子形成過程の評価 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,816KB
鈴木 茂        東北大学 多元物質科学研究所
選択的X線発光・吸収分光法によるイルメナイト系Ti酸化物の電子構造解析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,955KB
藤井 達生       岡山大学 工学部
触媒頻用金属(銀、白金族)のX線蛍光分光による価電子状態解析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,501KB
伊藤 嘉昭       京都大学 化学研究所
テーマN12 高エネルギー内殻光電子分光 (BL15XU)
へマタイト-イルメナイト多層膜の深さ選択的XPS測定 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化1,843KB
藤井 達生       岡山大学 工学部
Bulk ESCA and Valence Band Measurements of Ge-Sb-Tb based Optical Memory Alloys ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,822KB
Paul Fons       Center for Applied Near Field Optics,AIST
内殻電子励起によるSb-Te系合金薄膜の構造改質
ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,892KB
谷 克彦        株式会社 リコー
テーマN13 原子層制御結晶成長過程のその場観察(BL11XU)
時間分解X線回折によるMBE成長中断中におけるInAs量子ドット構造の解析 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化1,843KB
山口 浩一       電気通信大学 電気通信学部
MnAsナノ構造のその場測定X線回折 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,822KB
岡林 潤        東京大学大学院 工学系研究科
テーマN14 ナノ粒子・ナノドメインの静的・動的構造研究(BL22XU)
高エネルギー光電子分光によるCrを添加したGaNの電子構造の温度依存性 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化1,843KB
牧野 久雄       東北大学 金属材料研究所
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