研究分野別　目次
支援テーマ別　目次

1.エレクトロニクス
　 情報ストレージ

2.新規物質、表面・ナノ
　 結晶・ナノサイズ効果

3.エネルギー材料

4.環境関連物質評価

5.基盤技術開発
1 エレクトロニクス・情報ストレージ
【ULSI技術】
1.1　ゲート絶縁膜
超熱原子状酸素ビームにより室温酸化したシリコン酸化膜の表面構造解析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,288KB
田川　雅人　　　　　　　神戸大学　工学部
軟X線光電子分光による極薄ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の深さ方向分析 軟X線発光・吸収分子による薄膜シリコン酸窒化膜界面の電子構造研究1,393KB
服部　健雄　　　　　　　武蔵工業大学　工学部
硬X線光電子分光による高誘電率ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の深さ方向分析 酸素分子の運動エネルギー励起によるＳｉ（111）表面のナノスケール選択酸化1,843KB
服部　健雄　　　　　　　武蔵工業大学　工学部
硬X線光電子分光法によるゲート電極/ゲート絶縁膜界面の解析 酸素分子の運動エネルギー励起によるＳｉ（111）表面のナノスケール選択酸化1,796KB
竹村　モモ子　　　　　　株式会社 東芝
1.2　配線、ナノワイヤ、ナノドット等
異常GI-SAXSによる埋めこまれたGeナノドットのＲＴＡ処理に伴う構造変化の解明 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,191KB
奥田 浩司　　　　　　　京都大学　国際融合想像センター
1.3　浅接合技術
高分解能高エネルギーX線光電子分光による次世代半導体プロセス用
　　　　　　　　　　　　　　 極浅プラズマドーピング層のキャリア濃度の非破壊評価		 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,191KB
金　成国　　　　　　　　株式会社　ユー・ジェー・ティー・ラボ
【化合物半導体技術】
1.4　量子ドット
時間分解X線回折によるMBE成長中断中におけるInAS量子ドット構造の解析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,373KB
山口　浩一　　　　　　　電気通信大学　電気通信学部
1.5　量子井戸構造
X線共鳴散乱法によるIII-V族化合物半導体のナノ周期構造の評価 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,373KB
小柴　俊　　　　　　　　香川大学　工学部
【磁気記録技術】
1.6　磁性半導体
選択的X線発光・吸収分光法によるイルメナイト系Ｔｉ酸化物の電子構造解析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,268KB
藤井　達生　　　　　　　岡山大学　工学部
ヘマタイト-イルメナイト多層膜の深さ選択的XPS測定 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,822KB
藤井　達生　　　　　　　岡山大学　工学部
室温希薄強磁性半導体Ga1･xCrxNの軟X線共鳴光電子分光及び磁気円二色性による研究 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出2,032KB
藤森　淳　　　　　　　　東京大学大学院　新頒域創成科学研究科
高エネルギー光電子分光によるCrを添加したGaNの電子構造の温度依存性 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出2,032KB
牧野　久雄　　　　　　　東北大学　金属材料研究所
1.7　記録媒体、磁性膜
貴金属で扶まれた鉄単原子層における磁区構造と磁気状態 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,486KB
今田　真　　　　　　　　大阪大学大学院　基礎工学研究科
1.8　磁性ナノドット、磁性ナノワイヤ、磁性ナノ粒子等
Aｕ(788)微傾斜表面上の遷移金属ナノ構造における磁気構造　II ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,486KB
川合　真紀　　　　　　　理化学研究所
立方体形状ＦｅＰｔナノ微粒子の磁気的特性の軟X線磁気円二色性による研究 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,371KB
山本　真平　　　　　　　京都大学　化学研究所
SiO2で被覆されたFePtナノ微粒子の構造変化の精密結晶構造解析による評価 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,197KB
山本　真平　　　　　　　京都大学　化学研究所
立方体形状FePtナノ微粒子の磁気的特性の硬X線磁気円二色性による研究 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,901KB
山本　真平　　　　　　　京都大学　化学研究所
Al/Si(111)表面上のCoナノ量子ドットの磁性研究 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,901KB
木村　昭夫　　　　　　　広島大学大学院　理学研究科
1.9　スピンエレクトロニクスなど新規磁性材料
119Sn核共鳴散乱法を用いた金属ナノ変調多層膜における電子スピン分極の検出
 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出924KB
壬生　攻　　　　　　　　京都大学　低温物質科学研究センター
硬X線光電子分光による強相関電子系強磁性酸化物ナノ薄膜の電子状態評価 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,478KB
田中　秀和　　　　　　　大阪大学　産業科学研究所
MnAsナノ構造のその場測定X線回折 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出3,078KB
岡林　潤　　　　　　　　東京大学大学院　工学系研究科
1.10　磁性強誘電体等
強磁性強誘電体Bi2NiMnO6の強誘電転移温度の圧力依存
 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,892KB
東　正樹　　　　　　　　京都大学　化学研究所
【光記録技術】
1.11　相変化材料
Bulk ESCA and Valence Band Measurements of Ge-Sb-Te based optical Memory Alloys
 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,318KB
Paul Fons　　　　　　 　産業技術総合研究所
内殻電子励起によるSb-Te系合金薄膜の構造改質
 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,318KB
谷　克彦　　　　　　　　株式会社　リコー
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