1 エレクトロニクス・情報ストレージ
【ULSI技術】
1.1 ゲート絶縁膜
Hf酸化物における窒素原子導入の本質的な効果 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出2,438KB
山下 良之       東京大学 物性研究所
Si(110)面の酸化初期過程の放射光光電子分光解析 軟X線発光・吸収分子による薄膜シリコン酸窒化膜界面の電子構造研究1,783KB
末光 眞希       東北大学 学際科学国際高等研究センター
超熱酸素原子線と窒素原子打ち込み併用による酸窒化構造の形成と界面構造解析 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化1,481KB
田川 雅人       神戸大学 工学部
1.2 配線、ナノワイヤ、ナノドット等
分子線エピタキシ・薄膜X線回折複合装置による
      Ge/Si(001)ナノドット形成と組成・歪のその場測定
ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,425KB
花田 貴         東北大学 金属材料研究所
1.3 酸化物エレクトロニクス材料
室温青色発光を示すSrTiO3における格子ゆがみ検出 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,603KB
島川 祐一        京都大学 化学研究所
【化合物半導体技術】
1.4 半導体レーザ技術
ln蛍光X線を用いたGalnN量子井戸の結晶評価U ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,024KB
宮嶋 孝夫       ソニー株式会社
【磁気記録技術】
1.5 記録媒体、磁性膜
ホイスラー型“ハーフメタル”強磁性体の硬X線光電子分光 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出459KB
木村 昭夫       広島大学大学院 理学研究科
核共鳴散乱法を用いたCr系ナノ薄膜における局所電子スピン分極の検出 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出511KB
壬生 攻         名古屋工業大学大学院 工学研究科
1.6 磁性ナノドット、磁性ナノワイヤ、磁性ナノ粒子等
化学組成が厳密に規定されたチオール保護金ナノクラスターのX線磁気円二色性観測 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出553KB
横山 利彦       自然科学研究機横 分子科学研究所
亜鉛フェライト・磁性ナノ粒子のスピン選別XAFS ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出603KB
林 久史        東北大学 多元物質科学研究所
Au(111)微傾斜表面上の3d遷位金属ナノ構造における磁気構造 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出684KB
川合 真紀       理化学研究所
鉄系超微粒子のX線小角散乱−X線異常散乱法の適用− ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出478KB
鈴木 茂        東北大学 多元物質科学研究所
1.7 スピンエレクトロニクスなど新規磁性材料
ヘマタイト−イルメナイト固溶体の磁気円二色性スペクトル ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出626KB
藤井 達生       岡山大学大学院 自然科学研究科
硬X線光電子分光法による
        強相関電子系強磁性酸化物ヘテロ構造の界面電状態評価
ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出469KB
田中 秀和       大阪大学 産業科学研究所
【光記録技術】
1.8 相変化記録材料
マイクロ回折法による相変化記録材料Ge2Sb2Te5薄膜の局所構造評価 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,176KB
松永 利之       株式会社 松下テクノリサーチ
硬X線光電子分光法による相変化光ディスク記録膜の解析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,029KB
吉木 昌彦       株式会社 東芝
蛍光X線ホログラフィーによるDVD材料薄膜単結晶の三次元原子イメージ ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,197KB
細川 伸也       広島工業大学 工学部
XAFS Study of structual changes
       under hydrostatic pressure of Sb-Te phase change alloys
ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,876KB
Fons, Paul        産業技術総合研究所
Measurement of bulk ESCA and bulk valence band structure in Sb-Te
       and Ge-Te optical memory alloys
ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,547KB
Fons, Paul        産業技術総合研究所
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