大型放射光施設 SPring-8

日時　：　2008年3月27日(木)　16:00-
Date :　　 16:00-　March 27, 2008

場所　：　萌光館
Place :　 SPring-8 "HOUKOUKAN"

講演者 ：　西川　裕規

所属　　 ：大阪市立大学大学院理学研究科
Affiliate：Graduate School of Science/Faculty of Science , Osaka City University

タイトル：Wide-band materialにおける共鳴非弾性X線散乱
Title　 ：Resonant Inelastic X-ray Scattering in wide-band materials

アブストラクト：
半導体やバンド絶縁体に代表されるwide-band materialにおける共鳴非弾性Ｘ線散乱（ＲＩＸＳ）スペクトルの散乱ベクトル依存性等について講演する。まずＲＩＸＳスペクトルの散乱ベクトル依存性の強弱の起因について、Ge, Si, 3C-SiＣの３つの物質のＫ吸収端ＲＩＸＳを例に取りながら説明する。3C-SiCのSi K吸収端RIXSを例にとって、スペクトルの散乱ベクトル、入射光偏向依存性からどのような電子構造の情報が得られるかを議論し、運動量移行が無視できないRIXS測定の有用と思われる側面について言及する。

Abstract：
We theoretically demonstrate that the resonant inelastic x-ray scattering (RIXS) with sizable momentum transfer can be utilized to study the valence band dispersion for the wide-band materials, taking up RIXS at Si K edge of 3C-SiC as a typical example. The RIXS spectra are calculated with systematically varying transfered-momentum,
incident-photon polarization and incident-photon energy, on the basis of an ab initio calculation. We find that the spectra strongly depends on both ransfered-momentum and incident-photon polarization, and the peaks in the spectra correspond to the energies of the valence bands. We conclude that the information on the energy dispersion of valence bands can be extracted from the RIXS spectra by means of varying the transfered-momentum. These findings leads to further application of RIXS experiment to investigate the band structure of the wide-band materials.

担当者：水牧（PHS 3870）
Organizer : MIZUMAKI (PHS 3870)