SiOx膜のGIXSによる構造評価
Inquiry number
SOL-0000001399
Beamline
BL19B2 (X-ray Diffraction and Scattering II)
Scientific keywords
| A. Sample category | inorganic material |
|---|---|
| B. Sample category (detail) | insulator, ceramics, membrane |
| C. Technique | X-ray diffraction |
| D. Technique (detail) | grazing incidence X-ray diffraction/scattering |
| E. Particular condition | room temperature |
| F. Photon energy | X-ray (4-40 keV) |
| G. Target information | structure analysis |
Industrial keywords
| level 1---Application area | Semiconductor, electric component, display |
|---|---|
| level 2---Target | silicon semiconductor, LCD, CD-R、DVD |
| level 3---Target (detail) | gate insulator, interlayer insulator, capacitance insulator, film, lubricant |
| level 4---Obtainable information | structure of non-crystalline material |
| level 5---Technique | GIXS |
Classification
A80.10 electronics, A80.12 semiconductor, M10.30 surface・interface diffraction
Body text
本事例ではSiOx薄膜について微小角入射X線散乱を行い、非晶質SiOx膜の構造（動径分布関数）を解析しました。微小角入射X線散乱は、試料表面に極く浅い角度でX線を入射することにより基板上に形成された薄膜から散乱されるX線を感度よく測定する手法です。このデータから、スパッタで製膜したSiOx膜はアモルファスSiとSi酸化物の混合した膜であることが明らかになりました。
測定より得られたSiOx薄膜の動径分布関数（赤線）と
参照試料として測定した溶融石英板の動径分布関数（青の点）の図
Source of the figure
Private communication/others
Description
広沢 作成
Technique
微小角入射X線散乱は、基板上の薄膜からの散乱X線強度を測定することで膜構造の評価を行います。この例では、主として非晶質HfSiOｘ膜中のHfからの動径分布に関する知見が得られます。
Source of the figure
No figure
Required time for experimental setup
1 shift(s)
Instruments
| Instrument | Purpose | Performance |
|---|---|---|
| 多軸回折計 | 散乱 回折の測定 | ４軸＋２軸 |
References
| Document name |
|---|
| I.Hirosawa, J. Ceramic Soc. Jpn. 112-1, S1476 (2004). |
Related experimental techniques
反射率測定、微小角入射X線回折、広角散乱
Questionnaire
This solution is an application of a main instrument of the beamline.
Ease of measurement
Middle
Ease of analysis
With a great skill
How many shifts were needed for taking whole data in the figure?
Two-three shifts