大型放射光施設 SPring-8

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SPring-8 セミナー(第100回)

副題/演題 化合物半導体エピタキシャル成長評価技術の新展開
開催期間 2003年06月11日
開催場所 SPring-8 放射光物性研究棟4階 中会議室
主催 (財)高輝度光科学研究センター
形式 レクチャー(講演)
分野 物質科学
概要

日   時 : 2003年6月11日 16:00-17:00

講演者 : 塚本 史郎 客員助教授
所   属 : 東京大学 生産技術研究所 ナノエレクトロニクス連携センター

講演要旨
  近年注目されている量子ドットなどのナノ3次元構造のエピタキシャル成長には原子レベルでの均一性が要求され、その成長過程をその場で観察する評価手法は必要不可欠である。現在、すでに電子線や光などを用いる手法(例えば、RHEED、RDS)が実用化され、広く使われている。
  しかし、この手法では、Layer by layer の2次元成長の原子レベル評価・制御を可能としても、量子ドットのように3次元成長する実空間を原子レベルで評価することは困難である。そこで、原子レベルでの実空間結晶成長過程の観察・評価を目的として、MBEとSTMを完全合併した装置を開発することにより、原子レベルの均一性を有する量子ドットなどのナノ3次元構造のエピタキシャル成長評価技術の可能性を探る。

問い合わせ先 高橋 正光 (PHS 3866) (財)高輝度光科学研究センター


最終変更日 2009-05-27 12:36