大型放射光施設 SPring-8

司会　坂田 修身（JASRI）

1．9:05 - 9:10

「はじめに」　
　 坂田 修身（JASRI）

２．9:10-9:35

「高品質低基板温度成長MgB2薄膜の形成」
　 久保 衆伍 （島根大学）

３．9:35-10:00

「薄膜プロセスと自己組織化を利用した新規なナノ構造の作製と構造評価」
　 松田 晃史、北村 理史、吉本 護 （東京工業大学）

４．10:00-10:20

「結晶性高分子薄膜表面近傍の分子鎖パッキング構造評価」
　 佐々木 園（JASRI）

５．10:20-10:45

「含フッ素高分子薄膜の濡れ特性とＧＩＸＤによる表面分子鎖凝集構造評価」
　 本田 幸司、高原 淳（九州大学）

休憩 （１0分）

６．10:55-11:15

「透過X線回折による表面・界面結晶構造解析」
　 田尻 寛男（JASRI）

７．11:15-11:40

「フェムト秒レーザー駆動衝撃波によって合成された高圧相の放射光X線回折による検証」
　 佐野 智一、高橋 謙悟（大阪大学）

８．11:40-12:00

「高分解能マイクロX線回折装置の紹介」
　 木村 滋（JASRI）

昼休み（12:00-13:00）

９．13:00-13:25

「Siキャップ層を持つGeナノドットのGI-SAXS‐反射率解析の試み」
　 奥田 浩司（京都大学）

10．13:25-13:45

「Si基板上に作製したGeナノワイヤーの歪み解析」
　 川村 朋晃（NTT物性科学基礎研究所）

11．13:45-14:10

「X線共鳴散乱法によるIII-V族化合物半導体ナノ周期構造の評価」
　 宮川 勇人、小柴 俊（香川大学）

12．14:10-14:35

「ポーラスアルミナテンプレートによる半導体基板上のナノロッド規則配列形成と結晶性制御」
　 新宮原 正三（広島大学）

13．14:35-15:00

「SiGe/Si(001)系薄膜結晶の極微細領域の歪と転位形態」
　 酒井 朗（名古屋大学）

休憩（10 分）

14．15:10-15:35

「Strong Lateral Growth and Crystallization via Two-dimensional Allotropic Transformation of Semimetal Bi Film」
　 長尾 忠昭（物質・材料研究機構）

15．15:35-15:50

「Surface X-ray diffraction study of "magic-mismatch" epitaxial thin film of Bi on Si(111)-7x7」
　 C. J. Walker （JASRI）

16．15:50-16:10

「迅速X線回折法で界面のナノ構造体を観る」
　 坂田 修身（JASRI）

17．16:10-16:30

おわりに（討論：BL13XUへの要望など）