SPring-8 次世代先端デバイス研究会（第2回）
| 主題／内容 | 硬X線光電子分光（HAXPES）によるデバイス評価 |
|---|---|
| 開催期間 | 2015年03月17日 (火) 13時20分から17時10分まで |
| 開催場所 | 研究社英語センタービル地下2階大会議室（技術交流会：地下1階中会議室） |
| アクセス | 研究社英語センタービル地下2階大会議室（技術交流会：地下1階中会議室） 〒162-0825 新宿区神楽坂1-2 電話：03-3269-4331 アクセス： JR飯田橋駅西口、または地下鉄飯田橋駅B3出口より徒歩3分 http://www.kenkyusha.co.jp/modules/11_meetingroom/ |
| 主催 | SPring-8 利用推進協議会 研究開発委員会 |
| 共催 | （公財）高輝度光科学研究センター（JASRI） |
| 形式 |
|
| 概要 | SPring-8の高輝度なX線を活かした硬X線光電子分光（HAXPES）は、材料深部の化学状態を測定できるユニークな技術で、金属/半導体、絶縁体/半導体など種々の接合界面がある半導体デバイス評価に有用な技術です。最近ではデバイス内部の電圧印加応答の観察など新たな取り組みが行われています。今回は、種々のデバイスを対象としたHAXPESの最新の利用事例を紹介していただきます。 |
| 申込締切 | 2015年3月9日（月）17：00 |
| URL | http://www.jasri.jp/iuss/research_activity/2014/20150317.html |
| 問い合わせ先 |
 （公財）高輝度光科学研究センター 産業利用推進室
事務局代表 0791-58-0924 0791-58-0830 otft@spring8.or.jp
|
最終変更日
2019-11-22 09:01