テーマN10 極薄膜形成過程のその場光電子分光解析 (BL23SU)
Si(110)面の酸化初期過程の放射光光電子分光解析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出2,438KB
末光 眞希      東北大学 学際科学国際高等研究センター
超熱酸素分子線による
        Cu酸化物生成過程における表面ステップ構造効果の光電子分光による解明
ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,605KB
笠井 俊夫      大阪大学大学院 理学研究科
超熱酸素原子線と窒素原子打ち込み併用による酸窒化構造の形成と界面構造解析 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,801KB
田川 雅人      神戸大学 工学部
テーマN11 高精度小角散乱によるナノ凝縮体解析 (BL15XU)
鉄系超微粒子のX線縮小角散乱−X線異常散乱法の適用− 酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化478KB
鈴木 茂       東北大学 多元物質科学研究所
超音波霧化法によって生じたエタノール−水ミストのサイズ分布測定 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出3,040KB
矢野 陽子      学習院大学 理学部
CeNi1-xCoxSn化合物のLmedgeでのX線共鳴非弾性散乱 ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の検出1,820KB
山岡 人志      理化学研究所
テーマN12 高エネルギー内殻光電子分光 (BL15XU)
Measurement of bulk ESCA and bulk valence band structure in Sb-Te
         and Ge-Te optical memory alloys
酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化309KB
Fons, Paul      産業技術総合研究所
テーマN13 原子層制御結晶成長過程のその場観察(BL11XU)
GaAsSb/GaAs歪バッフア層上への
         高密度lnAs量子ドットのMBE成長とその時間分解X線回折測定
酸素分子の運動エネルギー励起によるSi(111)表面のナノスケール選択酸化2,030KB
山口 浩一      電気通信大学 電気通信学部
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