文部科学省 ナノテクノロジー総合支援プロジェクト 平成18年度第2回ナノテクワークショップ
| 副題／演題 | シリコンナノエレクトロニクス研究と放射光 |
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| 開催期間 | 2006年11月13日から14日まで |
| 開催場所 | 普及棟講堂 |
| 主催 | 財団法人高輝度光科学研究センター（JASRI） |
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| 分野 | 物質科学 |
| 概要 | ユビキタス社会を支えるシリコンULSIは新たなパラダイムを迎えつつある。ULSIの基本素子である金属-絶縁体-トランジスタ（MOSFET）の物理ゲート長は既に50nm以下の領域まで達しており、低消費電力用では37nm、高性能MPUではゲート長25nmのデバイス開発が進められている。この技術開発の基本原理は『スケーリング則』であり、微細化により高性能化と高集積化を同時に達成してきた。しかしながら、デバイスに用いられてきたSi/SiO2系の材料的限界のため、既に既存のスケーリング技術の限界は見え、ゲート絶縁膜をSiO2から高誘電率(High-k)絶縁膜に置き換えるための研究開発が活発に行われている。さらに、この10年以内には様々な揺らぎ/ばらつきの顕在化による精度・性能限界、集積度の増加による発熱量・消費電力の限界などによって、微細加工の限界以前にデバイスの集積化と高性能化が困難になることが確実な状況である。したがって、10年後を見据えたエレクトロニクスのためには、ナノ科学に根ざした技術革新により従来のスケーリング則の枠組みを超える新たな概念と技術的価値を創造する必要に迫られている。本ワークショップでは、このような状況のシリコンナノエレクトロニクス研究に対して放射光がどのように貢献できるかを議論することを目的とする。 |
| URL | http://www.spring8.or.jp/ext/ja/nano_tech/nanotech_ws06-2/ |
| 問い合わせ先 |
 財団法人高輝度光科学研究センター 研究調整部 ナノテクノロジー総合支援プロジェクト推進室 放射光グループ事務局
三好（ミヨシ）・徳永（トクナガ）・岡橋（オカハシ） 0791-58-0919 0791-58-0830 nano_tech@spring8.or.jp
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最終変更日
2006-11-15 14:30