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1 エレクトロニクス・情報ストレージ |
【ULSI技術】 |
1.1 ゲート絶縁膜 |
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超熱原子状酸素ビームにより室温酸化したシリコン酸化膜の表面構造解析 |
 1,288KB |
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田川 雅人 神戸大学 工学部 |
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軟X線光電子分光による極薄ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の深さ方向分析 |
1,393KB |
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服部 健雄 武蔵工業大学 工学部 |
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硬X線光電子分光による高誘電率ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の深さ方向分析 |
1,843KB |
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服部 健雄 武蔵工業大学 工学部 |
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硬X線光電子分光法によるゲート電極/ゲート絶縁膜界面の解析 |
1,796KB |
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竹村 モモ子 株式会社 東芝 |
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1.2 配線、ナノワイヤ、ナノドット等 |
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異常GI-SAXSによる埋めこまれたGeナノドットのＲＴＡ処理に伴う構造変化の解明 |
1,191KB |
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奥田 浩司 京都大学 国際融合想像センター |
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1.3 浅接合技術 |
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高分解能高エネルギーX線光電子分光による次世代半導体プロセス用極浅プラズマドーピング層のキャリア濃度の非破壊評価 |
1,191KB |
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金 成国 株式会社 ユー・ジェー・ティー・ラボ |
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【化合物半導体技術】 |
1.4 量子ドット |
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時間分解X線回折によるMBE成長中断中におけるInAS量子ドット構造の解析 |
1,373KB |
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山口 浩一 電気通信大学 電気通信学部 |
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1.5 量子井戸構造 |
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X線共鳴散乱法によるIII-V族化合物半導体のナノ周期構造の評価 |
1,373KB |
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小柴 俊 香川大学 工学部 |
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【磁気記録技術】 |
1.6 磁性半導体 |
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選択的X線発光・吸収分光法によるイルメナイト系Ｔｉ酸化物の電子構造解析 |
1,268KB |
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藤井 達生 岡山大学 工学部 |
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ヘマタイト-イルメナイト多層膜の深さ選択的XPS測定 |
1,822KB |
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藤井 達生 岡山大学 工学部 |
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室温希薄強磁性半導体Ga1･xCrxNの軟X線共鳴光電子分光及び磁気円二色性による研究 |
2,032KB |
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藤森 淳 東京大学大学院 新頒域創成科学研究科 |
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高エネルギー光電子分光によるCrを添加したGaNの電子構造の温度依存性 |
2,032KB |
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牧野 久雄 東北大学 金属材料研究所 |
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1.7 記録媒体、磁性膜 |
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貴金属で扶まれた鉄単原子層における磁区構造と磁気状態 |
1,486KB |
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今田 真 大阪大学大学院 基礎工学研究科 |
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1.8 磁性ナノドット、磁性ナノワイヤ、磁性ナノ粒子等 |
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Aｕ(788)微傾斜表面上の遷移金属ナノ構造における磁気構造 II |
1,486KB |
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川合 真紀 理化学研究所 |
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立方体形状ＦｅＰｔナノ微粒子の磁気的特性の軟X線磁気円二色性による研究 |
1,371KB |
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山本 真平 京都大学 化学研究所 |
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SiO2で被覆されたFePtナノ微粒子の構造変化の精密結晶構造解析による評価 |
1,197KB |
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山本 真平 京都大学 化学研究所 |
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立方体形状FePtナノ微粒子の磁気的特性の硬X線磁気円二色性による研究 |
1,901KB |
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山本 真平 京都大学 化学研究所 |
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Al/Si(111)表面上のCoナノ量子ドットの磁性研究 |
1,901KB |
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木村 昭夫 広島大学大学院 理学研究科 |
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1.9 スピンエレクトロニクスなど新規磁性材料 |
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119Sn核共鳴散乱法を用いた金属ナノ変調多層膜における電子スピン分極の検出
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924KB |
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壬生 攻 京都大学 低温物質科学研究センター |
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硬X線光電子分光による強相関電子系強磁性酸化物ナノ薄膜の電子状態評価 |
1,478KB |
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田中 秀和 大阪大学 産業科学研究所 |
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MnAsナノ構造のその場測定X線回折 |
3,078KB |
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岡林 潤 東京大学大学院 工学系研究科 |
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1.10 磁性強誘電体等 |
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強磁性強誘電体Bi2NiMnO6の強誘電転移温度の圧力依存
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1,892KB |
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東 正樹 京都大学 化学研究所 |
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【光記録技術】 |
1.11 相変化材料 |
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Bulk ESCA and Valence Band Measurements
of Ge-Sb-Te based optical Memory Alloys
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1,318KB |
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Paul Fons 産業技術総合研究所 |
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内殻電子励起によるSb-Te系合金薄膜の構造改質
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1,318KB |
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谷 克彦 株式会社 リコー |
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2 新規物質、表面・ナノ結晶・ナノサイズ効果 |
2.1 フラーレン関連物質 |
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軟X線MCDによる希土類金属内包フラーレンの元素選択磁化解析 |
2,463KB |
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篠原 久典 名古屋大学 理学部 |
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次元性の観点からのC60ナノウィスカーの構造解析 |
1,580KB |
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谷垣 勝己 東北大学大学院 理学研究科 |
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2.2 ナノチューブ |
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カーボンナノチューブ高密度成長のための触媒微粒子結晶構造の解明 |
1,938KB |
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粟野 祐二 株式会社 富士通研究所 |
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2.3 ナノ高分子材料、有機半導体等 |
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二核銅錯体の分子カラム間距離制御に対する溶媒包接の構造物性 |
1,910KB |
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長谷川 美貴 青山学院大学 理工学部 |
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アイソタクティックポリプロピレン射出成型物表面のナノ構造解析 |
2,059KB |
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里美 倫明 株式会社 三菱化学科学施術センター |
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2.4 ナノサイズ効果、ナノ結晶等 |
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非晶質KNbO3-SiO2からKNbO3ナノ結晶生成及び構造相転移 |
1,493KB |
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梁 龍錫 釜山大学 ナノ科学技術部 |
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マイクロ流体リアクターで合成したコア/シェル型蛍光ナノクリスタルの構造解析 |
2,713KB |
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上原 雅人 産業技術総合研究所 |
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触媒頻用金属（銀、白金族）のX線蛍光分光による価電子状態解析 |
2,713KB |
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伊藤 嘉昭 京都大学 化学研究所 |
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超音波還元法による金・白金超微粒子のXAFSによる研究 |
2,713KB |
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岩瀬 彰宏 大阪府立大学 先端科学研究所 |
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2.5 表面ナノ構造、電極表面構造、表面化学 |
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超熱O2分子線によるCu3Auナノ表面酸化膜の作製と光電子分光による評価 |
1,574KB |
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笠井 俊夫 大阪大学 |
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表面X線回折法を用いた単結晶リチウム電池正極材料表面の精密構造解析 |
1,782KB |
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菅野 了次 東京工業大学大学院 総合理工学研究料 |
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Surface x-ray Structure Analysis of Water
on C(111)Electrode
(Ｃ(111)電極表面の表面X線構造解析) |
1,133KB |
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伊藤 正時 慶応義塾大学 理工学部 |
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ナノチューブ成長用触媒金属のSi清浄表面および酸化膜表面における反応過程のSPELEEMによる研究 |
1,511KB |
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前田 文彦 ＮＴＴ物性科学基礎研究所 |
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分子エレクトロニクス素子における電極表面構造に関する研究 |
2,417KB |
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魚崎 浩平 北海道大学大学院 理学研究科 |
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リアルタイムXPSを用いたアルミ酸化膜形成における水素触媒機構の解明 |
3,114KB |
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福谷 克之 東京大学 生産技術研究所 |
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超音速窒素分子ビームを用いたＴｉ表高窒化の反応ダイナミクス |
3,114KB |
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高桑 雄二 東北大学 多元物質科学研究所 |
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2.6 ナノ構造材料等 |
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異常小角散乱法による非平衡固体からのナノ粒子形成過程の評価 |
1,795KB |
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鈴木 茂 東北大学 多元物質科学研究所 |
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3 エネルギー材料 |
3.1 多孔質材料、ガス吸着、触媒担持材料等 |
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多孔性配位高分子のナノ空間中での水素分子の特異的凝集状態の直接観測 |
1,168KB |
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北川 進 京都大学大学院 工学研究料 |
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チーオル化カーボンナノチューブに担持された白金クラスターの熱処理によるin-situ構造変化解析 |
1,939KB |
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三谷 忠興 北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科 |
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偏晶系凝固と塑性加工を利用したマイクロ・ナノポーラス材料創成のための三次元構造解析 |
1,939KB |
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安田 秀幸 大阪大学大学院 工学研究料 |
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高密度水素吸蔵金属ナノ粒子の粉末X線回折 |
1,939KB |
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山内 美穂 九州大学大学院 理学研究院 |
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3.2 イオン伝導性材料 |
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イオン伝導性硫化物ガラスのX線回折解析 |
1,168KB |
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島川 祐一 京都大学 化学研究所 |
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4 環境関連物質評価 |
4.1 生体内汚染等 |
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核共鳴散乱による鉄貯蔵蛋白質フェリチンと鉄原子の相互作用の研究 |
1,690KB |
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春木 理恵 高エネルギー加速器研究機構 |
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4.2 細胞内反応測定 |
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肥満細胞における免疫反応と微量元素の動態の解析 |
1,849KB |
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白川 太郎 京都大学大学院 医学研究科 |
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5 基盤技術開発 |
5.1 ナノ構造イメージング等 |
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走査型硬X線顕微鏡によるFe-Ｋ吸収端における元素別磁気イメージング |
2,160KB |
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高垣 昌史 高輝度光科学研究センター |
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表面および強磁性、反強磁性金属との界面におけるNiO反強磁性磁区ドメイン構造の観察 |
1,668KB |
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奥田 太一 東京大学 物性研究所 |
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光電子顕微鏡を用いた界面ナノ構造のイメージング |
2,207KB |
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小野 寛大 高エネルギー加速器研究機構 |
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K-Bミラーを用いたマイクロビーム蛍光X線分析システムの開発 |
2,334KB |
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寺田 靖子 高輝度光科学研究センター |
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SPELEEMを用いたナノ構造材料の観察と新しい収差補正法を用いた高分解能光電子顕微鏡の予備実験 |
1,287KB |
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越川 孝範 大阪電気通信大学 エレクトロニクス基礎研究所 |
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